Калужский центр электронного материаловедения

КАЛУЖСКИЙ ЦЕНТР
ЭЛЕКТРОННОГО
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ

История развития ВНИИМЭТа
и Правобережья

Калужский центр электронного материаловедения

Трудно представить себе человека, который хоть раз побывал
в городе Калуге, знакомился с его историческими достопримеча-
тельностями и не обратил внимание на величественное здание из
стекла и бетона у сквера Мира, где расположен памятник знаме-
нитому нашему земляку . Своими широкими
крыльями это здание формирует начало улицы Юрия Гагарина,
опоясывает часть сквера и северным концом смотрит на деревян-
ный домик, где свои последние годы проживал Константин Эду-
ардович на улице, носящей теперь его имя.

Проходя мимо этого здания сегодня, трудно заметить скром-
ную вывеску «, так как все затмили яркие рек-
ламы нескольких коммерческих заведений. Но суть не в них, а в
том, что происходило в стенах этого института в течение не-
скольких десятилетий и происходит и сейчас: это служение на-
уке, созидание новых материалов и технологий для электрон-
ной техники. Автору посчастливилось пройти с этим институ-
том многие годы, начиная от момента его основания. Именно
поэтому хотелось бы поделиться своими личными воспомина-
ниями о событиях, связанных с созданием, становлением и раз-
витием ВНИИ материалов электронной техники, ставшего при-
знанным флагманом электронного материаловедения страны1.

Характерной особенностью деятельности наших земляков —
выдающихся российских ученых является то, что абсолютное
большинство из них проводило исследования вне Калужского
края. И это не удивительно, так как вплоть до середины XX века
вся наука в России развивалась в основном в Московском и
Петербургском университетах. В Калужской же губернии, как и
во многих других, не было ни одного научного учреждения.

Ликвидация Калужской губернии в 1929 году, осуществлен-

1 Как источник фактологической информации о развитии ВНИИМЭТа в данном очерке использована вступительная статья , - ва и «История создания и развития к сборнику, посвященному 40-летию института. Однако данный очерк базируется на лич­ных воспоминаниях автора, его оценках и характеризации тех или иных собы­тий и фактов, а также воспоминаниях соратников по многолетней совместной работе. Поэтому автор счел возможным представить его только от своего име­ни, искренне считая и Евгения Петровича, и Александра Андреевича своими соавторами в соответствующей части очерка. — Ф. Б.

ная вопреки исторической значимости нашего края, еще даль­ше отбросила его с магистрального пути развития науки. По­этому поистине историческим событием не только для нашего края, но и для страны в целом стало образование в 1944 году Калужской области.

Результат этого шага, по сути дела воссоздания Калужской губернии, оказался впечатляющим: уже к началу 1980-х годов по своему научно-техническому потенциалу область вошла в число лидеров не только Центрального региона, но и страны в целом. И, что не менее важно, она остается в их числе даже в постперестроечный период2, когда финансирование науки умень­шилось в разы и везде произошел значительный отток кадров.

Близость к Москве с ее огромным научно-техническим по­тенциалом, славное историческое прошлое, быстро развиваю­щаяся промышленность, огромная потребность региона в каче­ственной продукции сельского хозяйства и, наконец, особая аура самой калужской земли предопределили уже в первые пос­левоенные годы стремительное развитие в регионе научных уч­реждений по самым актуальным для страны направлениям дея­тельности, в том числе по укреплению её обороноспособности.

Следует отметить, что многим вновь создаваемым институ­там устанавливался статус «всесоюзных НИИ», определявших их роль как головных в отдельных отраслях промышленности. Это привело к появлению целой плеяды талантливых руководи­телей научных коллективов, а также молодых ученых, конст­рукторов, инженеров.

Таким центром на территории региона стал ВНИИМЭТ — Всесоюзный научно-исследовательский институт материалов электронной техники Министерства электронной промышлен­ности СССР3.

Его начало относится к далекому 1962 году, когда Советом Министров СССР было принято постановление о создании в Государственном комитете по электронной технике целого ряда новых институтов по различным направлениям приборостроения и материаловедения, в том числе ВНИИ материалов электрон-

2 Отметим, что уже в этот период на базе научного потенциала города Обнинска создается первый в России наукоград. Это свидетельствует о призна­нии как выдающегося вклада его институтов в развитие целого ряда областей знаний, так и государственной необходимости их дальнейшей финансовой под­держки.

3 Если быть точным, то отмечаемое в 2004 году 40-летие — это юбилей не , а ВНИИМЭТа, на кадровом и научно-техническом потен­циале которого оно было организовано лишь несколько лет назад.

ной техники, в Калуге. Оно было продиктовано необходимостью резкого ускорения развития электронной промышленности как базы для создания изделий радиопромышленности и систем уп­равления в оборонных и других отраслях промышленности.

По мере ввода новых институтов в число действующих Госко­митет по электронной технике в 1965 году был преобразован в Министерство электронной промышленности СССР. Министром был назначен Александр Иванович Шокин, который в итоге со­здал эту «невероятную промышленность». Добавлю от себя: он создал и ее электронное материаловедение, развитие которого на протяжении более двух десятков лет нашей совместной работы относил к числу наиболее приоритетных задач МЭП4.

Главными разработчиками структуры и задания на проекти­рование ВНИИМЭТа были главный инженер, а затем началь­ник Главного управления МЭП по направлению «Специальные материалы» Авенир Сергеевич Гладков и начальник отдела Ана­толий Иванович Калмыков. Обоих я знал на протяжении более двух десятков лет, вечная им слава и память: это были настоя­щие руководители, которые постоянно оказывали огромную по­мощь институту во всех вопросах, связанных с его строитель­ством и развитием.

На начальном этапе главной задачей был выбор и согласова­ние с городскими организациями площадки для строительства здания ВНИИМЭТа. Первый приезд в Калугу главных разработ­чиков с проектировщиками состоялся уже осенью 1962 года. Учи­тывая масштабность объекта и заинтересованность руководства города в преобразовании архитектурного облика его юго-запад - ного района, застроенного ветхими жилыми домами, местом для строительства выбрали жилой квартал практически в цент­ральной зоне Калуги. Одновременно было согласовано и строи­тельство пятиэтажного учебного корпуса площадью пять тысяч квадратных метров на улице Гагарина для филиала МВТУ (ныне МГТУ) им. , открытого в Калуге в 1959 году.

Решение вопроса о выборе территорий для ВНИИМЭТа, для жилищного и социального строительства, о сносе ветхого жилья позволило уже в 1963 году начать строительные работы. Директором строящегося института был назначен Сергей Ива­нович Жуков, работавший до этого заместителем председателя Калужского горисполкома.

4 . Министр невероятной промышленности СССР: страницы биографии. — Москва: ЦНИИ «Электроника», 1999.

Здесь будет ВНИИМЭТ. 1965 год

3<П

Первым введенным в эксплуатацию объектом (октябрь 1964
года) был корпус временного размещения, построенный на базе
бывшего детского сада. В связи с этим в ноябре 1964 года приказом
Государственного комитета по электронной технике ВНИИМЭТ
был введен в число действующих предприятий — этот день и счи-
тается датой его создания.

Были установлены следу-
ющие основные задачи инсти-
тута: определение на основе
требований народного хозяй-
ства и обороны страны на-
правлений в области создания
новых материалов для элект-
ронной техники; разработка и
внедрение прогрессивных тех-
нологий и оборудования для
их серийного производства;
исследование свойств, испы-
тание в изделиях и внедрение
новых материалов, обеспечи-

вающих увеличение надежности, долговечности, длительной со-
хранности и мощности электронных приборов; разработка мето-
дов контроля качества материалов и полуфабрикатов.

С этого момента начато формирование кадрового потенциала института. Уже в начале 1965 года были организованы лаборатории вакуумной плавки металлов под руководством кандидата наук Бо­риса Пименовича Нама, обработки металлов давлением под руко­водством Виталия Сергеевича Хозикова, оксидных катодов под ру­ководством Бориса Исидоровича Резонтова, отдел научно-тех­нической информации под руководством Виталия Николаевича Локтешова. Все они оказались замечательными специалистами и сыграли значительную роль в развитии института.

Следует подчеркнуть, что на первом этапе научной деятель­ности ВНИИМЭТом планировались и выполнялись работы по получению и внедрению в производство новых материалов лишь на основе металлов и сплавов — это видно и из названий первых лабораторий.

Может показаться странным: как же так, а полупроводни­ки? Ведь в этот период времени в США и других странах на основе изобретенного в 1948 году транзистора и создания в 1960 — 1961 годах первых интегральных схем стремительно раз­вивалась полупроводниковая электроника.

Ответ прост. Во-первых, буквально за три дня до выхода упо­мянутого выше правительственного постановления было при­нято постановление ЦК КПСС и Совмина СССР о создании под Москвой в районе станции Крюково (будущий город-спут­ник Зеленоград) мощного Научного центра микроэлектроники в составе пяти новых НИИ и трех опытных заводов. Одним из этих институтов должен был стать Научно-исследовательский институт материаловедения, на который и возлагались задачи по исследованиям полупроводниковых материалов5. Поэтому о дублировании этих работ в Калуге в тот период времени не мог­ло быть и речи.

Во-вторых, специальные металлические материалы и изде­лия из них были и остаются в настоящее время важнейшими структурными элементами практически всех изделий электрон­ной техники — от резисторов и конденсаторов до мощных маг­нетронов и других электровакуумных приборов, газовых лазеров и источников высокоинтенсивного света.

Однако, как будет видно из дальнейшего, насущные потреб­ности электроники во все новых и новых материалах привели к быстрому росту их номенклатуры и в тематике ВНИИМЭТа (по­лупроводники, диэлектрики, магнитные материалы и т. д.). Но при этом направление, связанное с металлами и их сплавами, всегда оставалось лидирующим в институте по важнейшим тех­нико-экономическим показателям.

Главной кузницей кадров для ВНИИМЭТа на первом этапе его развития стал Харьковский физико-технический институт Академии наук УССР — крупнейший научный центр Украины. В апреле 1965 года автор данного очерка, тогда еще молодой уче­ный — сотрудник ХФТИ6, был приглашен в оборонный отдел ЦК КПСС, где ему предложили занять пост директора — науч­ного руководителя ВНИИ материалов электронной техники, созданного в Калуге. Одновременно на должность главного ин­женера был приглашен Андрей Михайлович Гончаренко, веду­щий инженер-конструктор того же харьковского института, че­ловек активный и чрезвычайно деятельный по своей натуре.

Нелегким был для меня этот выбор — соглашаться или нет.

5 Кроме того, работы по выращиванию монокристаллов основных тогда полупроводниковых материалов — Германия и кремния — быстро развивались на предприятиях Министерства цветной металлургии.

6 (р. 1928), окончил Харьковский университет в 1952 году, аспирантуру ХФТИ в 1956 году. В 1958 году защитил кандидатскую диссертацию по экспериментальной Физике в ХФТИ (Прим. ред.).

Крупнейший научный и промышленный центр, миллионный город Харьков — с одной стороны, и маленькая провинциаль - ная Калуга — с другой, интереснейшая работа в области управ­ляемого термоядерного синтеза7, докторская диссертация «на выходе», семья, двое маленьких детей, отличная трехкомнатная квартира, прекрасные друзья юности — как все это оставить ради неизвестного будущего?

Но когда мы с Андреем Михайловичем ознакомились с про­ектом ВНИИМЭТа, почувствовали перспективы его развития и значимость для отрасли, когда побывали в Калуге и были оча­рованы ее милой провинциальностью и прекрасной природой вокруг, когда директор Иванов зая­вил нам, что мы можем отбирать для работы в Калугу любого сотрудника — наш выбор был предопределен. Ведь молодость — это риск, это стремление в неизведанное, это, наконец, жела­ние проявить себя как личность.

К тому же нам было известно, что именно таким путем, то есть путем деления, по инициативе нашего крупнейшего ученого, директора Ленинградского физтеха, академика Абрама Федорови­ча Иоффе был создан в 1928 году сам Харьковский физтех и еще ряд других подобных институтов. Более того, на базе ХФТИ уже тогда были созданы в Харькове два новых института — Физико - технический институт низких температур и Институт радиоэлект­роники с переводом в них двух крупных соответствующих лабора­торий. Так что все развитие действительно идет по спирали: придет время, и на базе ВНИИМЭТа также будут созданы новые пред­приятия как научного, так и производственного профилей.

Итак, решение было принято, и в мае 1965 года приказом Министра МЭП СССР директором института в Калуге был на­значен кандидат наук Феликс Иосифович Бусол, а главным инженером — Андрей Михайлович Гончаренко. Через месяц на должности руководителей ведущих отделов — металлургическо­го, технологического, физико-химического и конструкторского из Харькова в Калугу по моему предложению были переведены

7 Хотелось бы отметить, что инициатором создания в конце 1950-х годов в Харьковском ФТИ отдела по исследованиям в области управляемого термо­ядерного синтеза был знаменитый Игорь Васильевич Курчатов, руководитель работ по созданию атомного оружия в СССР. И я с гордостью вспоминаю, как докладывал ему прямо возле установки о первых наших результатах по созда­нию магнитной ловушки для захвата и удержания быстрых протонов — одному из направлений управляемого термояда. Главные результаты этой работы, до­казавшие возможность реализации данной идеи, были опубликованы позднее в статье , и др.: Мис1еаг Рдоюп. 1965. Уо1. 5, р. 85.

ученые-материаловеды кандидаты наук Иван Стефанович Бол-
гов, Сергей Иванович Файфер, Виктор Владимирович Лебедев
и ведущий инженер-конструктор . Это
позволило заложить в основу научной деятельности нашего ин-
ститута лучшие традиции Харьковского физтеха, которые, в свою
очередь, были позаимствованы у Ленинградского физтеха. За-
мечательные ученые, создатели харьковских научных школ8
академики и , и

A.  К. Вальтер, и , и
— это они были нашими учителями.

В январе 1966 года на работу в Калугу была направлена груп-
па выпускников-физиков и несколько молодых ученых Харь-

ковского университета: Ста-
нислав Сергеевич Стрельчен-
ко, Слава Андреевич Бондарь
и другие — все они стали веду-
щими специалистами институ-
та, известными учеными. Один
из них — кандидат наук Алек-
сандр Андреевич Матяш, ны-
нешний генеральный директор
. Прекрасная
преемственность поколений!

Статус калужского институ-
та как Всесоюзного НИИ, пер-
спективы научного роста, ре-

шение социальных вопросов способствовали привлечению в ин-
ститут ученых из Москвы, Ленинграда, Киева, Новосибирска,
Томска, Рязани. В Калугу приехали ,

B.  С. Чернов, , - кий, , и другие. Как много прекрасных дел стоит за этими именами!

В подготовке молодых специалистов для ВНИИМЭТа огром­ную роль сыграл Московский институт стали и сплавов. Огром­ная благодарность его коллективу. Особенно следует выделить профессора этого института, доктора технических наук Всево­лода Валерьевича Крапухина. Калужанин, учившийся в нашем городе и лично знавший , Всеволод Валерье­вич относился к ВНИИМЭТу как к своему детищу. Он не только

* Таньшина харьковских научных школ в физике. Часть I. — Харьков, 2002.

Огромную роль в обеспечении создаю­щегося ВНИИМЭТа квалифицированны­ми кадрами сыграли руководители Харьковского физико-техничес­кого института академик Академии наук Украины и член-корреспондент

ЛКСССР

Профессор МИСиС хин на конференции в Калуге

Первый директор — научный руководи­тель ВНИИМЭТа кандидат физико-математи­ческих наук Феликс Иосифович Бусол

организовал в МИСиСе кафед-
ру полупроводниковых матери-
алов, но и добился того, что
приемные экзамены проводи-
лись прямо в Калуге для выпус-
кников нескольких наших школ.
А ВНИИМЭТ гарантировал им
в будущем — в случае успешной
учебы — прием на работу.

Другим вузом, который со
временем начал готовить целе-
вым образом специалистов для
института, стал калужский фи-

лиал МВТУ им. . Более того, многие сотрудники
института работали и продолжают работать в филиале по со-
вместительству, а некоторые и перешли туда на преподава-
тельскую работу.

Среди тех и других много наших крупных ученых и инжене-
ров — , , -
нов, , и другие.

Это дает возможность студентам

уже на стадии обучения более
глубоко вникать в сущность на-
учных проблем своих будущих
исследований. Таким образом,
строительство ВНИИМЭТом
учебного корпуса для филиала
МГТУ оправдало себя во всех от-
ношениях.

Нельзя не отметить, что не-
давно в филиале МГТУ создан
диссертационный совет по за-
щите докторских и кандидатс-
ких диссертаций, в том числе по
направлениям исследований
НИИМЭТа. Его председатель —
доктор технических наук, ака-

демик Коржавый, с макси-
мальной отдачей прошедший в нашем институте путь от моло-
дого специалиста до начальника отдела катодных*материалов.

Все это обеспечило быстрый рост численности института, как того требовало решение все новых и новых задач. И уже к

началу 1970-х годов она превысила тысячу человек — ученых и инженеров, рабочих и служащих9. Создавались новые отделы, лаборатории, производственные участки для развития новых направлений исследований и организации производства разра­ботанных материалов.

Одновременно продолжалось интенсивное строительство на­учных и производственных корпусов института. Планомерно были приняты в эксплуатацию корпус вакуумной плавки металлов и станция для производства газообразных водорода и кислорода (1966), энергетический корпус с установками для получения жидкого азота (1967), корпус для МВТУ им. (1968), первая очередь глав­ного корпуса (1969). И, нако­нец, в 1972 году строительство ВНИИМЭТа было полностью завершено: его производ­ственные площади в итоге со­ставили около сорока тысяч квадратных метров.

Однако скоро самой жиз­нью перед институтом был поставлен вопрос о необходимости продолжения строитель­ства и создания специализированного завода по серийному про­изводству новых материалов, потребность в которых быстро нарастала. По темпам роста объемов производства МЭП СССР опережало все другие отрасли отечественной промышленнос­ти. Но прежде чем рассказать об этом, приведем примеры хотя бы нескольких наиболее важных разработок ВНИИМЭТа.

Первым испытанием института на прочность, то есть спо­собность быстро решать сложные научно-технические пробле­мы, стала задача по разработке технологии и организации про­изводства платинита10 для токовводов, впаиваемых в стеклян­ную оболочку электронных ламп. Он имеет примерно такой же температурный коэффициент расширения, как у платины и стек­ла, и поэтому замена им обычно используемой дорогостоящей платины должна была обеспечить ее значительную экономию (потребность в материале составляла несколько тонн).

’ Максимальная численность коллектива ВНИИМЭТа — 1350 человек — была достигнута к концу 1970-х годов.

10 Платинит — двухслойная проволока с сердечником из сплава железо — никель, покрытого тонким слоем меди.

Строительство главного корпуса ВНИИМЭТа. 1966 год

В итоге технология производства платинита с требуемыми свойствами была разработана в нашем институте11 и уже в 1966 году внедрена на заводе «Кристалл» в Орджоникидзе (ныне Вла­дикавказ). Он входил в состав нашего управления и был опре­делен базовым для внедрения разработок ВНИИМЭТа. Это была первая из них, и завод попросил перевести в Орджоникидзе и руководителя темы — нашего ведущего инженера Вячеслава Дмитриевича Матюшкина, лучшего специалиста в этом деле. Больше, к счастью, подобных прецедентов у нас не было, хотя в интересах дела многим разработчикам, в том числе и мне, нередко приходилось находиться там в течение многих недель, доводя свои разработки до полного завершения. Приятно вспом­нить, что атмосфера там всегда была дружественной и конст­руктивной.

В 1966 году ВНИИМЭТу была поручена разработка позоло­ченной плющенки из ковара12 для организации производства крем­ниевых транзисторов по методу американской фирмы «Джене - рал электрик». Однако первые же опыты в электрохимической лаборатории института показали, что обычно применяемый процесс гальванического золочения является низкопроизводи­тельным, а расход золота при планируемых масштабах выпуска транзисторов — слишком большим.

Выход был найден в том, что нашими учеными (­гов, , и др.) впервые в мире был создан более перспективный материал для поточно-меха- низированного производства транзисторов в пластмассовом кор­пусе: многослойная лента никель — ковар — никель с узкой полосой золота, изготавливаемая методом прокатки. Каждый слой этой ленты имеет свое назначение: золото служит для напайки крис­таллов кремния, ковар обеспечивает согласование теплового расширения кремния и ленты, никель — защиту выводов от кор­розии. Предложенные нашими специалистами технологии со­здания многослойных лент с многорядным полосчатым плаки­рованием имели принципиально важные отличия от стандарт­ных технологий, применявшихся в других странах, что значи­тельно повысило производительность труда.

11 Она базировалась на методе горячей затяжки медной трубки на железо­никелевый керн диаметром 10 — 12 миллиметров и последующего холодного волочения с промежуточными отжигами до диаметра 0,5 — 0,8*миллиметра.

12 Плющенка — лента, изготавливаемая из проволоки методом прокатки; ковар — специальный сплав для спая металла со стеклом с низким коэффици­ентом термического расширения.

Работа в этом направлении получила очень широкое развитие: в Калуге была разработана базовая технологическая линия по про­изводству ленточных многослойных материалов холодным плаки­рованием. На основе таких лент, в том числе с заменой золота на алюминий, электронной промышленностью СССР ежегодно вы­пускались многие миллионы полупроводниковых приборов и ин­тегральных микросхем: уже к началу 1980-х годов экономия за счет их использования составила пятьдесят пять тонн золота!

В 1967 году перед институтом были поставлены новые, не предусмотренные проектом задачи по выращиванию полупро­водниковых монокристаллов и эпитаксиальных структур13. Реше­ние этих задач было поручено физическому отделу Виктора Вла­димировича Лебедева, преобразованному в отдел полупровод­никовых материалов. Несмотря на огромные трудности станов­ления нового направления (отсутствие опыта, оборудования и т. д.), именно тогда начала формироваться замечательная в ско­ром будущем калужская школа специалистов полупроводнико­вого материаловедения, таких как , ­дарь, , ­нов, , - палов, , и др. Уже первые работы по получению германиевых эпитаксиальных слоев на подложках из кремния позволили создать ряд первых отечественных электрон­ных приборов нового типа — лавино-пролетных и параметри­ческих диодов, быстродействующих транзисторов.

Необходимо отметить, что в дальнейшем главные задачи ВНИИМЭТа в области полупроводниковых материалов были связаны уже не с «классическими» элементарными полупро­водниками — германием и кремнием, а с более сложными мо - нокристаллическими структурами на основе бинарных полу­проводников14. Первые успехи в технологии получения бинар­ных полупроводников привели к созданию новых уникальных приборов — полупроводниковых лазеров, светоизлучающих ди­одов, фотоэлементов, приборов ночного видения. Однако эф­фективность этих приборов была еще недостаточной для ши­рокого использования.

13 Эпитаксия — высокотехнологичный метод получения тонких пленок на специально обработанных подложках.

14  Бинарные полупроводники — соединения элементов третьей и пятой, второй и шестой групп периодической системы: типа А3 В5 (арсенид галлия, фосфид индия и др.) и А2 В6 (селенид кадмия, теллур ид ртути и др.) соответ­ственно.

Лауреат Нобелевской премии, академик Жорес Иванович Алферов

Важную роль в развитии этого нового направления электрон-
ного материаловедения сыграли работы по созданию гетеропере-
ходов, выполненные в эти же годы в Ленинградском физтехе
доктором физико-математических наук Жоресом Ивановичем
Алфёровым. За них он много лет спустя получил Нобелевскую
премию по физике. Горжусь тем, что знаком с ним лично и что
наши институты постоянно сотрудничали.

«Гетеропереходы в полупроводниках, как пишет академик Ал-
феров15, это контакты двух различных по химическому составу

полупроводников. В таком контакте происходит не толь-
ко изменение ширины запрещенной зоны, меняются
обычно и другие фундаментальные свойства: зонная
структура, эффективные массы носителей тока, их под-
вижности, физико-химические и оптические свойства».
И далее: «Возможность получения монокристалличес-
ких переходов, т. е. контактов различных по химическо-
му составу полупроводников, осуществленных в одном
монокристалле, связана с развитием методов эпитак-
сиального выращивания полупроводниковых кристаллов,
т. е. образования единообразно относительно друг друга
ориентированных кристаллов одного вещества на гра-
ни другого вещества».

Следует подчеркнуть, что и Жорес Иванович, и
многие другие видные ученые страны, работы кото-
рых были прямо или косвенно связаны с электрони-

кой, неоднократно были участниками совещаний Коллегии Ми-
нэлектронпрома, где выступали с докладами о своих новых ис-
следованиях. Все новое и перспективное для электронной тех-
ники поддерживалось Коллегией и особенно нашим министром
Шокиным самым активным образом. Дополнительная инфор-
мация о таких работах поступала также с различных конферен-
ций и из публикаций.

Именно поэтому основным вектором развития в нашем ин­ституте полупроводникового материаловедения стало выращи­вание монокристаллов арсенида галлия большого диаметра, ат­тестация их свойств и изготовление из них пластин для эпитак­сии —• создания гетеропереходов или гетероструктур16. Анало­гичные работы проводились также с другими бинарными полу­проводниками. В результате во ВНИИМЭТе был# разработаны

15 Алферов и жизнь. — СПб.: Наука, 2000.

16 Гетероструктура — это комбинация в одном кристалле нескольких гете­ропереходов.

эпитаксиальные структуры на основе твердых растворов17, пред-
назначенные для оптоэлектронных и фотоэлектронных прибо-
ров, инфракрасных приборов ночного видения. Всему этому
предшествовала разработка технологий получения особо чистых
исходных веществ для роста кристаллов и структур.

Одним из необходимых компонентов производства полупро-
водниковых приборов и интегральных схем является водород
сверхвысокой частоты. Из всех методов его получения единствен-
но приемлемым является метод селективной диффузии атомов

водорода через тонкие метал-
лические перегородки. Давно
известно, что из всех элемен-
тов периодической системы
наиболее эффективен для это-
го палладий — один из дра-
гоценных металлов платино-
вой группы, однако особен-
ности его свойств18 не позво-
ляют использовать его в про-
мышленных масштабах.

Проведа огромный комп-
лекс исследований по влия-
нию различных элементов на
свойства палладия, наши уче-
ные (, -
лаев и др.) разработали новый

сплав на основе палладия, серебра, рутения и бора, по совокуп-
ности свойств превосходящий все зарубежные аналоги. На его
основе были разработаны и внедрены в производство на инсти-
тутском заводе трубчатые фильтры глубокой очистки водорода
производительностью 4 и 10 кубических метров в час, вскоре по-
лучившие государственный Знак качества.

В вакуумной электронике на протяжении многих лет при производстве магнетронов для радиолокационных станций, дру­гих приборов сверхвысоких частот использовался молибден,

17 Полупроводниковый твердый раствор — аналог металлического сплава, то есть материал, содержащий несколько сходных элементов периодической системы, например, индий и галлий — с одной стороны, фосфор и мышьяк — с другой. Благодаря такой комбинации удается обеспечить широкую вариацию свойств полупроводниковых материалов.

" Невысокие прочностные свойства, сильное изменение формы при тер - моциклировании в среде водорода.

Сотрудник ВНИИМЭТа кандидат наук В А. Пугачев работает на установке по росту кристаллов. Начало 1970-х годов

получаемый методами порошковой металлургии. Однако неста-
бильность его свойств, низкая технологическая пластичность,
высокое содержание примесей, повышенное газовыделение при
вакуумном нагреве не позволяли повышать качество приборов.

Проведенные во ВНИИМЭТе исследования влияния добавок
различных химических элементов на свойства молибдена элект-
ронно-лучевой и вакуумной дуговой плавки позволили определить
оптимальный состав сплава молибдена с бором и титаном, который

по механическим и физическим свой-
ствам превосходил таковые для ранее
используемого молибдена. Материал вне-
дрен в несколько типов сверхвысокоча-
стотных и газоразрядных приборов.

Из большого числа разработанных в
институте материалов для катодов элек-
тровакуумных и газоразрядных прибо-
ров выделим лишь несколько. Во-пер-
вых, это новые эффективные вторично-
электронные эмиттеры типа «металл —
окисел», изготавливаемые методом хо-
лодного прессования и последующего
спекания, которые сохраняют опти-
мальные параметры при мощной элек-
тронной бомбардировке. На их основе в
отечественной электронной промыш-
ленности были созданы новые магнет-

ронные усилители для радиолокационных станций с антенными
фазированными решетками.

Во-вторых, это ряд электродных сплавов сложного состава для ламп высокоинтенсивного света, предназначенных для освеще­ния крупных помещений, открытых пространств (стадионы, ка­рьеры и т. п.) и отдельных предметов. Их высокая стойкость к разрушению в условиях газового разряда низкого давления обес­печила повышение долговечности приборов до 10000 часов!

И, наконец, это холодные катоды для мощных гелий-неоновых лазеров, работы по которым были начаты в 1969 году. Несмотря на отсутствие научных заделов по этому направлейию, в самые короткие сроки была разработана и внедрена в производство технология изготовления полых цилиндрических катодов на ос­нове высокочистого бериллия. Они характеризуются высокими термодинамической устойчивостью и эмиссионными парамет­рами. Наибольший вклад в эти разработки внесли ,

Феликс Иосифович Бусол.

1978 год

, , и другие сотрудники института.

Наряду с разработкой новых материалов, технологий и обору­дования, ВНИИМЭТ, как головной институт по металлам и спла­вам электронной техники, координировал все исследования, про­водимые как в отраслевых НИИ, так и в Академии наук, разраба­тывал перспективные планы исследований в этом направлении, рассматривал и согласовывал с Министерствами черной и цвет­ной металлургии ужесточенные технические требования к новым материалам из металлов и сплавов. Результатом этой деятельности явилось обеспечение отечественной электронной промышленнос­ти более качественными металлическими материалами.

Вся эта работа проводилась в рамках межведомственной под­секции «Металлы и сплавы для электронной техники» и отрас­левого «Координационного совета по металлам и сплавам» На - учно-технического совета МЭП СССР, которые возглавлялись автором в 1965 — 1988 годах. В их составы входили представители более 30 предприятий промышленности и АН СССР. В 1969 году институт был назначен базовой организацией по стандартиза­ции в области металлов и сплавов, головным НИИ по научно - технической информации. С 1971 года ВНИИМЭТ выпускал от­раслевой журнал «Электронная техника» — серия «Материалы».

Наряду с научной институт проводил также активную про­мышленную политику: завершающей стадией любой разработ­ки нового материала было его внедрение в производство с удов­летворением всей потребности электронной промышленности в этом материале. Несмотря на внедрение части из них на заводе «Кристалл», нарастала необходимость организации собственных производственных участков на площадях института для опытно­го производства вновь разработанных материалов при соответ­ствующих научных отделах. Их сокращение тормозило расшире­ние фронта новых исследований.

Главный корпус ВНИИМЭТа. 1969 год

По нашему предложению в декабре 1968 года был создан
завод при ВНИИМЭТе, на который были возложены задачи
серийного производства материалов, разрабатываемых институ-
том. На завод были переданы со всем оборудованием ранее со-
зданные в институте участки по производству фильтров водоро-
да, плакированных лент, ряда катодных материалов, германие-
вых эпитаксиальных структур.

Но это было лишь частич-

Обсуждение на правом берегу Оки в Калуге плана строительства комплекса для производства материалов элект­ронной техники.

В центре: слева — председа­тель ВПК Совета Министров СССР , справа — директор ВНИИМЭТа

ным решением вопроса, так
как только с 1969 по 1974
годы годовой объем произ-
водства завода возрос более
чем в 7 раз. Это вызывало не-
обходимость передачи ему все
новых и новых площадей ин-
ститута. Поэтому уже в 1973
году на коллегии МЭП СССР
автором был поставлен воп-
рос о необходимости строи-
тельства в Калуге отдельного
специализированного завода
для производства электрон-
ных материалов по разработ-
кам института. Коллегия под-
держала данное предложение,
и масштабы его реализации

превзошли все самые смелые ожидания.

Учитывая продолжающееся бурное развитие электроники и стратегические интересы развития самой Калуги, Совет Мини­стров СССР в 1977 — 1978 годах издал два распоряжения, в которых поддержал предложения министерства о строительстве в Калуге на правом, ранее не освоенном берегу реки Оки, ком­плекса производственных зданий и энергетических сооружений для обеспечения массового производства материалов электрон­ной техники и технологического оборудования, а также жилого массива на 150 тысяч жителей. Фактически в городе создавался крупный центр электронного материаловедения с<} всей необ­ходимой инфраструктурой.

Чтобы оценить, насколько сложным и важным для страны было решение этих вопросов, отмечу, что принятию указанных правительственных решений предшествовали приезды в Калугу сначала секретаря ЦК КПСС по оборонным отраслям промыш­

ленности Якова Петровича Рябова, а затем председателя Воен-
но-промышленной комиссии Совмина -
евича Смирнова в сопровождении целого ряда других государ-
ственных деятелей.

Первое, что их интересовало, — это научный и кадровый по-
тенциал института, его возможности справиться с решением пред-
стоящих задач. В обоих случаях после заслушивания доклада дирек-
тора об основных результатах проведенных исследований и разра-
боток и новых перспективных направлениях были посещения от-
делов и лабораторий, беседы с учеными и инженерами, ознаком-

ление с технологическими
процессами плавки, прокатки,
волочения, роста кристаллов и
структур и т. д. Следует отме-
тить, что институт к этому вре-
мени был отлично оснащен
самым современным техноло-
гическим и исследовательским
оборудованием.

Второе — это осмотр бу-
дущей промышленной пло-
щадки, оценка возможностей
дальнейшего ее расширения в
случае необходимости. Сто де-

сять гектаров чистого, ровного поля, рядом лесные массивы, сво-
бодные площади для жилищного строительства, прекрасный вид
на Калугу за рекой Окой — такова панорама этой новостройки. И
все это буквально рядом, всего в нескольких километрах от дей-
ствующего института. Главная заслуга в том, что город выделил
именно эту площадку, принадлежит министру Шокину.

Строительство на Правобережье было начато в 1978 году, а через два года был введен в эксплуатацию первый производ­ственный корпус для завода специального машиностроения «ЭЛМАТ», созданного на базе машиностроительного цеха ин­ститута. В феврале 1981 года завод при ВНИИМЭТе был преоб­разован в завод специальных материалов общеотраслевого при­менения — «Аметист».

Через месяц было создано ПО «Гранат», в состав которого вошли завод «Элмат» в качестве головного предприятия, ВНИИМЭТ, завод «Аметист» и ОКБ машиностроения, созданное на базе кон­структорского отдела ВНИИМЭТа. Таким образом, на этом этапе своего развития институт стал основой всех трех новых предприя-

Начало строитель­ства завода мате­риалов электронной техники на правом берегу Оки.

1979 год

тий ПО «Гранат», передав в их ведение весь кадровый и техни-
ческий потенциал своих соответствующих подразделений и под-
держав тем самым прекрасные традиции ленинградского и харь-
ковского физтехов.

Генеральным директором ПО «Гранат» был назначен Нико-
лай Алексеевич Фомушин, работавший до этого главным инже-
нером одного из производственных объединений нашего главно-
го управления по направлению керамических материалов. Все мы,
естественно, хорошо знали друг друга, поэтому с преемственно-
стью особых проблем не было. С этого времени все вопросы даль-
нейшего проектирования, строительства и развития ПО «Гранат»

легли на его плечи. Приятно отметить, что он
успешно справлялся с этими задачами на про-
тяжении более 10 лет.

С того времени усилия ВНИИМЭТа были
сосредоточены на решении задач в области со-
здания новых материалов для новых поколений
электронных приборов в микро - и оптоэлектро-
нике, СВЧ - и лазерной технике, радио - и теле-
визионной промышленности, на разработке тех-
нологий и внедрении их в серийное производ-
ство. К 1992 году заводом «Аметист» выпуска-
лось более 240 наименований материалов, раз-
работанных в институте.

В этот период в связи с моим выходом на
пенсию произошла смена руководства инсти-
тута. С 1988 года его возглавлял доктор техни-
ческих наук Виктор Владимирович Лебедев, а
в 1996 году директором был назначен кандидат
технических наук Александр Андреевич Матяш,
прошедший в нем до этого путь от молодого
специалиста до главного инженера.

В условиях перехода к рыночной экономике, когда ПО «Гра­нат» перестало существовать как единое целое, когда завод «Аме­тист» был признан банкротом, когда практически полностью было прекращено бюджетное финансирование института и открыты границы продукции зарубежных электронных фирм, возникла не­обходимость перехода ВНИИМЭТа на новую концепцию дея­тельности. Она заключалась в восстановлении на площадях ин­ститута производственной базы по основным направлениям его разработок с ориентацией на возможность выхода на зарубежный рынок, в разработке технологии комплексной переработки гал-

Матяш

лий - и мышьяксодержащих отходов производства монокристал­лов и эпитаксиальных структур соединений А3 В5, в разработке и освоении в производстве новых видов металлических, электро­дных и других материалов. В итоге в настоящее время более 60 % объема выпускаемых материалов идет на экспорт. Институт рабо­тает стабильно, ежегодный рост объемов составляет 105 — 120 %.

Как один из лучших институтов бывшего Министерства элек­тронной промышленности, НИИМЭТ (утративший после рас­пада СССР статус Всесоюзного НИИ) был включен в качестве государственного предприятия в состав элек­троника» Российского агентства по системам управления, со­зданного на базе трех министерств радиоэлектронного профиля.

В 1998 году предприятие преобразовано в , которое сегодня является ведущим в стране предприятием по выпуску полупроводниковых, эмиссионных, катодных матери­алов и аморфных магнитомягких лент для электронных прибо­ров, а также особо чистых материалов (галлий и мышьяк). Про­водимые научные исследования обеспечены современной аппа­ратурой для характеризации и контроля свойств материалов. Для обеспечения разработок новых материалов и развития современ­ного уровня технологий в институте восстановлена база и про­водятся работы по созданию новых типов спецтехнологического оборудования. Большинство работ проводится в рамках соответ­ствующих федеральных целевых программ.

В настоящее время, продолжая традиции ВНИИМЭТа, его правопреемник в соответствии с разработан­ной стратегией развития основных приоритетных направлений электронной техники проводит исследования и разработки по принципиально новым направлениям в области материалов элек­тронной техники. Как достигнутые результаты, так и потенци­альные возможности в разработке новых конкурентоспособных на мировом рынке материалов для электроники дают все осно­вания относить НИИМЭТ к числу ведущих научных учрежде­ний нашей области.

Несмотря на определенные потери, в институте удалось со­хранить основной состав научных сотрудников и инженерно - технических работников по ведущим направлениям. Институт получил аккредитацию как научное учреждение, сейчас в нем работают 2 доктора наук и 21 кандидат наук; общая численность коллектива составляет 450 человек.

За году существования института по результатам научных исследований было защищено 7 докторских и 30 кандидатских

диссертаций, в различных журналах опубликовано более 1000
научных статей, получены свидетельства на 378 изобретений.

За выдающиеся достижения в области электронного матери-
аловедения и электронной техники Государственной премии
СССР была удостоена группа сотрудников ВНИИМЭТа: Ф. И.-
Бусол, ,
, , . Государственную премию
Грузинской ССР получил , премию имени Ленин-
ского комсомола — молодые исследователи и Н. В.

Брагин. Многие сотрудники
были награждены орденами и
медалями СССР.

Более 50 сотрудников на-
граждены золотыми, серебря-
ными и бронзовыми медаля-
ми ВДНХ, восемь наиболее
значимых работ отмечены зо-
лотыми медалями междуна-
родной Лейпцигской ярмар-
ки. В последние годы газораз-
рядные лампы высокого дав-
ления, оснащенные металло-
оксидными электродами ОАО
«НИИМЭТ», получили золо-
тые и платиновые знаки выс-
тавки «Всероссийская марка

(III тысячелетие). Знак качества XXI века».

На Правобережье строительство объектов ПО «Гранат» после распада СССР в 1991 году практически полностью прекрати­лось. Однако к этому времени здесь уже было построено еще несколько крупных производственных и служебных корпусов, котельная, мощный водовод из Оки и очистные сооружения для питьевого водоснабжения, прекрасное школьное здание, два детских сада, культурно-спортивный комплекс.

В течение 1980-х годов на правом берегу Оки велось интен­сивное жилищное строительство. Первый жилой 9-этажный 144- квартирный дом был сдан в эксплуатацию 7 октября 1982 года. Этот день считается днем основания нового микрорайона Калу­ги «Правобережье». Сейчас в его 22 жилых домах и 3 общежити­ях проживают около семи тысяч человек. Как тут не вспомнить, что депутатом Городской думы от этого микрорайона является Тамара Васильевна Дмитриева, кандидат технических наук,

Группа сотрудни­ков ВНИИМЭТа и смежных отрасле­вых заводов после вручения в Кремле Государственных премий СССР.

1981 год

много лет проработавшая во ВНИИМЭТе. Благодаря ее энергии
и деловитости микрорайон быстро превращается в один из са-
мых благоустроенных в городе.

На площадях бывшего ПО «Гранат» в середине 1990-х годов
нашли свою рыночную нишу около десяти промышленных пред-
приятий и учреждений. Крупнейшими градообразующими пред-
приятиями Правобережья являются и -
ралл», возглавляемые Леонидом Александровичем Мееровичем и
Владимиром Евгеньевичем Дудиным. Оба эти крупные предпри-
ниматели — также бывшие сотрудники ВНИИМЭТ, продукция

их предприятий является лау-
реатом многих конкурсов то-
варов народного потребления.

Особое место в ряду пра-
вопреемников ВНИИМЭТа
на Правобережье занимает
Научно-исследовательский
центр «Космическое материа-
ловедение» Института крис-
таллографии имени -
никова РАН — единственное
научное учреждение Российс-
кой Академии наук в Калуге.

Дата его основания — 1987 год.

Его возглавляет Борис Геор-

гиевич Захаров — доктор технических наук, заслуженный дея-
тель науки России, он более 15 лет проработал во ВНИИМЭТе
в должностях начальника лаборатории, а затем — отдела. Почти
все ведущие ученые и специалисты НИЦ КМ также прошли
научную школу нашего института, работали в нем многие годы,
защищали диссертации, приобретали бесценный опыт научно-
го творчества. После ухода из ВНИИМЭТа в 1988 году автор
также отдал центру «Космическое материаловедение» 13 лет (из
общих 48 лет своей научной деятельности), занимаясь организа-
цией исследований в области космического материаловедения.

Таким образом, ВНИИМЭТ за годы своего развития стал не только одним из самых крупных градообразующих центров Ка­луги, родоначальником нескольких новых предприятий, но и создателем мощного кадрового потенциала для науки, образо­вания, промышленности, органов управления. Наиболее яркие примеры этого — избрание в 1987 году главного инженера ин­ститута доктора технических наук Станислава Сергеевича Стрель-

040 ♦ ЭЛМАТ» сегодня

ченко секретарем областного комитета КПСС; избрание началь­ника отдела магнитных материалов доктора физико-математик ческих наук Александра Васильевича Дерягина в 1990 году депу­татом Верховного Совета РСФСР, в 1991 году — членом-кор- респондентом Российской Академии наук и, наконец, назначе­ние его же главой администрации Калужской области (1991 — 1996 годы); в должности заместителя главы администрации в течение нескольких лет работал начальник отдела эпитаксии, доктор технических наук Слава Андреевич Бондарь. Как уже го­ворилось выше, крупная когорта вниимэтовцев занимает сегод­ня профессорско-преподавательские должности в Калужском фи­лиале МГТУ им. .

Очевидно, что такое широкое представительство ученых в орга­нах власти, особенно на областном уровне, положительно влия­ло на научную политику, способствовало сохранению в пределах имевшихся возможностей крупного научного потенциала нашей области. Трудно переоценить в этом плане инициативу ­гина по созданию в Калуге автономной некоммерческой органи­зации «Калужский научный центр», президентом которой он был избран. Деятельность центра по поддержке региональной науки путем предоставления на конкурсной основе грантов за счет средств РФФИ и областного бюджета в буквальном смысле спас­ла жизнь многим калужским научным школам в первые годы рыночных реформ. Во всем отмеченном выше, полагаю, есть и частица моей души. И мне приятно, что в 2001 году по представ­лению коллектива НИИМЭТа Городская дума за выдающийся вклад в социальное развитие города Калуги присвоила первому

Правобережье Калуги сегодня

научному директору ВНИИМЭТ высокое звание «Почетный гражданин города Калуги».

И последнее, что хотелось бы подчеркнуть: не только НИИ материалов электронной техники, но и ни один из других веду­щих научных центров Калужской области не «канул в лету» в трудный период перехода к рыночной экономике. Хотя и с по­терями, но они сохранили себя как научные организации того же профиля, не растеряли свой базовый кадровый потенциал и сегодня продолжают исследования и разработки по актуальным проблемам науки и техники.

Хронология событий, связанных с ВНИИМЭТом

1962, 11 августа — принято Постановление Совета Мини­стров СССР о строительстве в г. Калуге ВНИИ материалов элек­тронной техники.

1963 — начало строительства института.

1964,  23 ноября — ВНИИМЭТ введен в число действующих предприятий.

1965,  март — в институте начаты работы по созданию новых материалов на основе металлов и сплавов.

1965, май — назначен директором — научным руководителем ВНИИМЭТа, — главным ин­женером института.

1967  — перед институтом поставлены задачи по получению новых полупроводниковых материалов.

1968  — сдан в эксплуатацию корпус филиала МВТУ имени .

1968, 10 декабря — создан завод при ВНИИМЭТе.

1969  — сдана в эксплуатацию первая очередь главного кор­пуса ВНИИМЭТа.

1969 — ВНИИМЭТ назначен базовой организацией по стан­дартизации в области металлов и сплавов, головным НИИ по научно-технической информации.

1971  — ВНИИМЭТу поручен выпуск отраслевого журнала «Электронная техника». Серия «Материалы».

1972  — завершено строительство ВНИИМЭТа.

1977 — Совет Министров СССР принял решение о строи­тельстве в Калуге на правом берегу реки Оки промышленного комплекса для производства материалов электронной техники и спецтехнологического оборудования, а также жилого массива на 150 тысяч жителей.

27 Зак. 139

1977  — начато строительство на Правобережье.

1980  — введен в эксплуатацию первый корпус завода специ­ального машиностроения «ЭЛМАТ».

1981, 12 февраля — завод при ВНИИМЭТе преобразован в завод специальных материалов «Аметист».

1981, 20 марта — создано производственное объединение «Гранат», в которое вошли завод «ЭЛМАТ», ВНИИМЭТ, «Аме­тист».

1981  — работы ВНИИМЭТа удостоены Государственной пре­мии СССР.

1988 — директором ВНИИМЭТа назначен .

1996 — директором НИИМЭТа назначен .

1998 — образовано .